Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
épitaxie de silicium par jet moléculaire — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… … Radioelektronikos terminų žodynas
Epitaxie — (von griechisch epi „auf“, „über“ und taxis im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn… … Deutsch Wikipedia
ÉPITAXIE — Phénomène d’orientation mutuelle de cristaux de substances différentes dû à des analogies étroites dans l’arrangement des atomes des faces communes. Les lois de l’épitaxie ont été énoncées en 1928 par L. Royer. L’épitaxie n’est possible que s’il… … Encyclopédie Universelle
Épitaxie — Cet article possède un quasi homophone, voir Épistaxis. L épitaxie est une technique de croissance orientée, l un par rapport à l autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d éléments de symétrie communs dans leurs réseaux… … Wikipédia en Français
Silicium sur isolant — Le Silicium Sur Isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d un empilement d une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d épaisseur) sur une couche d isolant. Cet isolant peut être du saphir (Silicon… … Wikipédia en Français
Eka-Silicium — Eigenschaften … Deutsch Wikipedia
Carbure De Silicium — Général Nom IUPAC Carbure de silicium N … Wikipédia en Français
Carbure de silicium — Apparence et structure cristalline du carbure de silicium … Wikipédia en Français
Halbleiterphysik — Halbleiterphysik, Teilgebiet der Festkörperphysik, das sich mit den physikalischen Eigenschaften der Halbleiter und ihrer theoretischen Erklärung aus dem mikroskopischen Aufbau (Bändermodell) beschäftigt. Zusammen mit der Halbleitertechnologie… … Universal-Lexikon
Silizium-Molekularstrahlepitaxie — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… … Radioelektronikos terminų žodynas
